Le transistor à jonction
Denis Gauthier, Lycée Bernard Palissy, 47000 Agen
Composant très important des circuits électroniques, sa découverte en 1948 par l’américain W. Shocckley a permis la réalisation d’appareils peu encombrants et fonctionnant avec peu d’énergie (piles). Nous étudions le transistor bipolaire, modèle le plus simple.
1- Description et symboles :
* Le transistor bipolaire est formé d’un monocristal semi-conducteur (silicium) dans lequel on a créé 3 zones de conductivité différentes par dopage (P ou N) à l’aide d’impuretés (voir Annexe du chapitre précédent). Ces 3 zones donnent deux jonctions PN très proches. La zone centrale, très mince (» 50 µm), constitue la base B ; les deux autres zones sont l’émetteur E et le collecteur C. Elles sont reliées à trois bornes extérieures.
* Il y a deux types de transistor, suivant que la base est dopée P ou N. Sur le symbole la flêche indique le sens passant de la jonction émetteur-base. Les deux jonctions sont toujours dissymétriques : NP et PN, pour le type NPN ; PN et NP, pour le type PNP.
2- Expériences préliminaires :
On utilise un transistor NPN.
2-1 Etude du dipôle BE :
On réalise sur une plaquette les deux montages suivants.
